Western Digital夥Kioxia推第八代3D閃存技術

Western Digital宣佈與合作夥伴Kioxia聯合研發出全新的3D閃存技術，展示雙方持續攜手創新的成果。該技術採用先進的縮放及晶圓鍵合技術，能夠以更低成本提供具卓越容量、效能及可靠性的解決方案，以滿足各行業大幅增長的數據儲存需求。

與Kioxia合作全新3D閃存技術

Western Digital技術與戰略高級副總裁Alper Ilkbahar表示：「全新的3D閃存技術展現了我們與Kioxia強大的協作以及雙方在技術創新上的地位。通過堅持共同的創新研發路線，並持續研發投資，我們已經能夠提前將此基礎技術產品化，提供高效能、高性價比的解決方案。」

Western Digital及Kioxia透過引入一系列獨特的工藝及架構來降低成本、從而實現持續的橫向發展。全新的3D閃存技術在縱向及橫向上取得縮放平衡，讓層數更少，體積更小的晶圓實現更大的容量，並在成本方面實現優化。雙方還開發了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到儲存陣列）技術，使每個外圍電路晶圓及單元儲存陣列晶圓都在更優化的條件下單獨製造，並透過鍵合來提供更高位元密度及更快的NAND I/O速度。

已推出最高位元密度第八代BiCS閃存

Kioxia技術長Masaki Momodomi表示：「基於雙方在技術工程領域獨特的合作關係，我們成功推出了目前具有業界最高位元密度^[i]的第八代BiCS閃存，現已開始為部分客戶提供樣品。透過應用CBA及縮放技術創新，我們在3D閃存技術組合上再度取得進展，可支援包括智能手機、物聯網設備及數據中心等一系列以數據為中心的應用場景。」

此次Western Digital聯合Kioxia推出的218層3D閃存技術利用具有四個平面的1Tb TLC （triple-level-cell）及QLC（quad-level-cell），採用創新的橫向收縮技術，將位元密度提高約50%。其NAND I/O速度超過3.2Gb/s，比上一代產品提高約60%，同時寫入效能及讀取延遲方面改善約20%，為用戶提供更高的效能及可用性。

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^[i] 來源：Kioxia數據調研，2023年3月30日